(ANSA) – ROMA, 5 MAR – Samsung da’ il via alla produzione di massa delle memorie DDR2 DRAM da 1 Gigabit a 60 nanometri (nm) per il mercato mondiale. Lo annuncia l’azienda in una nota, precisando che saranno messi in vendita moduli da 512MB, 1GB e 2GB. ‘La nuova tecnologia – spiega Andrea Andreutti, manager della Samsung – comporta un incremento di efficenza, in fase di produzione, del 40% rispetto a quella a 80 nm’. La domanda di queste memorie crescera’ nei prossimi tre anni,al passo con Windows Vista.

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